时间：2025/7/11 19:40:15
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MPCET-S5201-TP80 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 芯片，专为高频、高效和高温应用设计。该器件采用了先进的 SiC 工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压等特性，适合用于电动汽车、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及其他工业领域中的功率转换电路。
相比传统的硅基 MOSFET，MPCET-S5201-TP80 提供了更高的效率和更小的尺寸，同时支持更高的工作温度范围，从而简化热管理需求。
额定电压：1200V
额定电流：40A
导通电阻：30mΩ
栅极电荷：120nC
反向恢复时间：50ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 使用碳化硅材料制造，具备优异的高温稳定性和低开关损耗。
2. 集成先进的封装技术，确保高可靠性与散热性能。
3. 极低的导通电阻和栅极电荷，显著提升效率并降低发热。
4. 支持高达 175°C 的结温操作，适应苛刻的工作环境。
5. 快速的开关速度和低反向恢复时间，减少电磁干扰（EMI）。
6. 兼容标准的 MOSFET 驱动电路，便于系统设计与升级。
MPCET-S5201-TP80 广泛应用于以下领域：
1. 电动车驱动电机控制器及车载充电器。
2. 太阳能光伏逆变器和储能系统中的 DC/DC 和 DC/AC 转换。
3. 不间断电源（UPS）和服务器电源模块。
4. 工业自动化设备中的伺服驱动和变频器。
5. 高效开关电源（SMPS）和其他高性能电力电子设备。
由于其卓越的性能表现，这款器件特别适用于需要高效率、高功率密度和宽温度范围的应用场景。
MPCET-S5201-TP60
MPCET-S5201-TP100
