型号：2SK2152-TD-E
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：9.6A（@Tc=75°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：38A
　　导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ（@Vgs=10V, Id=4.8A）
　　导通电阻（Rds(on)）：9.0mΩ（@Vgs=4.5V, Id=4.8A）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：1300pF（@Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：420pF（@Vds=15V）
　　反向传输电容（Crss）：90pF（@Vds=15V）
　　总栅极电荷（Qg）：18nC（@Vgs=10V, Id=9.6A）
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　上升时间（tr）：35ns
　　关断延迟时间（td(off)）：30ns
　　下降时间（tf）：20ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8（Power SOP）

2SK2152-TD-E采用了东芝先进的U-MOS VIII-H工艺技术，这一技术基于改进的沟道设计和超结结构优化，显著降低了单位面积下的导通电阻，同时保持了优异的击穿电压能力。这种结构使得器件在低电压大电流的应用场景下表现出极低的导通损耗，有效提升了电源系统的转换效率。其典型的Rds(on)仅为7.5mΩ（在Vgs=10V时），这意味着在高负载条件下能够大幅减少I2R损耗，从而降低发热，延长系统寿命。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=18nC）和米勒电容（Crss=90pF），这使其在高频开关操作中具有更快的响应速度和更低的驱动功率需求。对于现代开关电源尤其是多相VRM和同步整流电路而言，这些特性至关重要，因为它们直接影响到开关损耗和整体能效表现。此外，低输入电容（Ciss=1300pF）也有助于减少驱动IC的负担，提升控制精度与动态响应能力。
　　2SK2152-TD-E还具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够在瞬态过载或短路情况下维持一定时间的安全运行，增强了系统的鲁棒性。其SOP-8 Power封装不仅提供了良好的电气隔离性能，还通过底部散热焊盘实现了高效的热传导路径，便于PCB布局中的热管理设计。该封装也支持自动化贴片生产，适合大规模工业化制造。
　　器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准的部分要求，并满足无卤素（Halogen-free）和RoHS指令，适用于对环保和安全性有严格要求的应用领域。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，进一步提升了其在同步整流拓扑中的适用性。总体来看，2SK2152-TD-E是一款集高性能、高可靠性和紧凑封装于一体的先进功率MOSFET，广泛用于高端计算平台和高效电源模块中。

2SK2152-TD-E主要应用于需要高效能、高电流密度和小型化的电源管理系统中。典型应用场景包括笔记本电脑和超极本的主电源转换模块（VRM），用于为核心处理器（CPU）或图形处理单元（GPU）提供稳定的低压大电流供电。在此类应用中，多个2SK2152-TD-E常被配置为多相降压变换器的上下桥臂开关，利用其低Rds(on)和快速开关特性来最小化能量损耗并提高瞬态响应速度。
　　此外，它也被广泛用于台式机主板、服务器电源、FPGA和ASIC供电电路中，尤其是在POL（Point-of-Load）转换器设计中表现优异。由于其优异的热性能和紧凑封装，该器件非常适合高集成度的数字电源系统，能够在有限空间内实现更高的功率输出。
　　在DC-DC转换器模块、电池管理系统（BMS）、LED驱动电源以及工业控制电源等领域，2SK2152-TD-E同样展现出强大的适应能力。其稳定的电气特性和宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其可在恶劣环境条件下可靠运行，适用于工业自动化设备和通信基础设施。
　　另外，在一些消费类电子产品如平板电脑、智能显示器和网络路由器中，该MOSFET也被用作关键的功率开关元件，以实现轻薄化设计与长续航目标之间的平衡。总而言之，凡是要求高效率、小体积和高可靠性的低压大电流开关电源场合，2SK2152-TD-E都是一个理想的选择。

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　　 "2SK2151-TD-E",
　　 "2SK3018",
　　 "2SK3019",
　　 "SI4410DY",
　　 "IRLHS6296",
　　 "AOZ5236EQI"
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