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H9DA4GH2GJAMCR-46M 发布时间 时间:2025/9/1 17:20:51 查看 阅读:7

H9DA4GH2GJAMCR-46M 是一款由SK Hynix(海力士)生产的高密度NAND闪存芯片。这款芯片主要用于存储应用,支持高性能数据读写操作,广泛应用于智能手机、平板电脑、固态硬盘(SSD)和其他嵌入式系统设备中。该型号属于4G x 8位的NAND闪存,具有高密度、低功耗和高速访问的特点。

参数

容量:4Gbit
  位宽:x8
  封装类型:TSOP
  接口类型:ONFI 2.3
  工作电压:2.7V - 3.6V
  读取速度:最高达50MB/s
  写入速度:最高达20MB/s
  擦除时间:块擦除时间约2ms
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

H9DA4GH2GJAMCR-46M 是一款基于ONFI 2.3标准接口的并行NAND闪存芯片,具有高性能和高可靠性。
  该芯片采用先进的CMOS制造工艺,确保低功耗运行,适用于移动设备和嵌入式系统。
  其x8数据位宽接口支持快速数据传输,适用于需要大容量存储的设备。
  芯片内部支持坏块管理,具有高耐久性和数据保持能力,可承受高达10万次的编程/擦除周期。
  它还支持ECC(错误校正码)功能,以提高数据完整性和存储可靠性。
  封装形式为TSOP,适用于空间受限的应用场景。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  智能手机和平板电脑中的嵌入式存储(eMMC替代方案)
  固态硬盘(SSD)控制器的缓存或主存储单元
  便携式消费电子产品,如数码相机、MP3播放器
  工业控制设备和汽车电子系统
  数据存储模块和嵌入式系统开发板

替代型号

H9DA4GH2JAMUDR-4EM, H9DA4GH2JAMUDR-46M, H9DA4GH2GAMUDR-46M

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