时间：2025/9/1 17:20:51
阅读：25
H9DA4GH2GJAMCR-46M 是一款由SK Hynix（海力士）生产的高密度NAND闪存芯片。这款芯片主要用于存储应用，支持高性能数据读写操作，广泛应用于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）和其他嵌入式系统设备中。该型号属于4G x 8位的NAND闪存，具有高密度、低功耗和高速访问的特点。
容量：4Gbit
位宽：x8
封装类型：TSOP
接口类型：ONFI 2.3
工作电压：2.7V - 3.6V
读取速度：最高达50MB/s
写入速度：最高达20MB/s
擦除时间：块擦除时间约2ms
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
H9DA4GH2GJAMCR-46M 是一款基于ONFI 2.3标准接口的并行NAND闪存芯片，具有高性能和高可靠性。
该芯片采用先进的CMOS制造工艺，确保低功耗运行，适用于移动设备和嵌入式系统。
其x8数据位宽接口支持快速数据传输，适用于需要大容量存储的设备。
芯片内部支持坏块管理，具有高耐久性和数据保持能力，可承受高达10万次的编程/擦除周期。
它还支持ECC（错误校正码）功能，以提高数据完整性和存储可靠性。
封装形式为TSOP，适用于空间受限的应用场景。
该芯片主要应用于以下领域：
智能手机和平板电脑中的嵌入式存储（eMMC替代方案）
固态硬盘（SSD）控制器的缓存或主存储单元
便携式消费电子产品，如数码相机、MP3播放器
工业控制设备和汽车电子系统
数据存储模块和嵌入式系统开发板
H9DA4GH2JAMUDR-4EM, H9DA4GH2JAMUDR-46M, H9DA4GH2GAMUDR-46M
