最大正向电流: 200 mA
　　峰值反向电压: 70 V
　　正向电压降: 1.25 V @ 100 mA
　　反向漏电流: 100 nA @ 70 V
　　恢复时间: 4 ns
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　存储温度范围: -65°C 至 +150°C

BAV70/T3 二极管具有多项显著的性能特点，首先，其高速恢复时间仅为4 ns，使其非常适合用于高频开关应用，例如射频信号切换、脉冲电路和数字逻辑电路。其次，该器件的峰值反向电压达到70V，能够承受较高的瞬态电压，确保在严苛环境下的稳定运行。
　　此外，BAV70/T3 的正向压降在100 mA下为1.25 V，虽然略高于某些肖特基二极管，但由于其高速特性，仍然适用于对功耗要求不苛刻的场合。该器件的反向漏电流非常低，仅100 nA @ 70 V，有助于降低待机功耗，提高系统能效。
　　封装方面，BAV70/T3 采用SOT-23塑料封装，体积小巧，便于表面贴装，适用于紧凑型PCB设计。该封装具有良好的热稳定性和机械强度，适合自动化装配流程。
　　BAV70/T3 的工作温度范围为-55°C至+150°C，满足工业级和部分汽车级应用的需求，适用于在极端环境下工作的电子设备。

BAV70/T3 主要应用于以下领域：高速开关电路、信号整流、电压钳位、逻辑电平转换、电源反向保护、射频信号切换、数字接口保护、消费电子产品（如智能手机、平板电脑、数码相机）以及工业控制系统中的逻辑电路和数据通信接口。
　　由于其高速恢复时间和小封装特性，BAV70/T3 特别适合用于数字电路中的信号隔离、电平转换以及高速信号路径中的保护功能。在通信设备中，它可用于光模块、以太网接口和USB高速数据线路的保护和切换。
　　在汽车电子方面，BAV70/T3 可用于车载信息娱乐系统、传感器接口电路以及车身控制模块中的逻辑开关应用。此外，该器件也常用于测试测量仪器、医疗电子设备和便携式电源管理系统中。

BAV99W, 1N4148W, BAS70-04, 1N4448, MMBD7000