54F245LMQB是一款高速硅、互补金属氧化物半导体(CMOS)八位双向收发器,属于54F系列逻辑器件。该器件采用先进的CMOS技术制造,具备低功耗和高噪声容限的特性,同时保持与TTL电平兼容的接口能力。54F245LMQB特别适用于需要在两个数据总线之间进行双向数据传输的应用场景,例如微处理器系统、存储器接口以及各种数字通信系统中。器件内部集成了八个独立的双向缓冲器,每个缓冲器均可通过方向控制引脚(DIR)来设定数据流向。此外,输出使能(OE)引脚允许将输出置于高阻抗状态,从而实现多器件共享同一总线而不会发生冲突。该器件封装形式为高性能陶瓷扁平封装(Ceramic Flatpack),适合在极端温度环境下工作,典型工作温度范围为-55°C至125°C,因此广泛应用于军事、航空航天及高可靠性工业控制系统中。由于其出色的电气性能和环境适应性,54F245LMQB在高要求环境中表现出卓越的稳定性和可靠性。
型号:54F245LMQB
制造商系列:54F
逻辑类型:八位双向收发器
电源电压范围:4.75V 至 5.25V
最大传播延迟:约3.5ns(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 125°C
封装类型:CFP(Ceramic Flatpack)
引脚数:20
输出类型:三态
通道数:8
输入电平:TTL兼容
输出驱动能力:15pF负载下典型驱动电流±6mA
功耗:典型静态功耗小于10μA
最大时钟频率支持:可达100MHz以上(取决于负载条件)
上升/下降时间:典型值约为2.5ns
噪声容限:高于标准TTL器件,典型值为0.3V至0.7V输入阈值
54F245LMQB的核心特性之一是其高速传输能力,得益于先进的快速CMOS工艺,该器件能够在极短的时间内完成信号的传输与响应。其典型传播延迟仅为3.5纳秒左右,这使得它非常适合用于高频数据交换系统中,如高速总线接口或实时控制系统。这种低延迟表现源于优化的内部电路设计和较低的寄生电容,从而显著提升了整体系统性能。
另一个关键特性是其双向数据传输功能。通过方向控制引脚(DIR),用户可以灵活地设定数据流的方向——从A端口到B端口,或从B端口到A端口。结合输出使能(OE)引脚,器件可在不需要通信时将输出置于高阻态,避免总线争用问题。这一机制允许多个设备共享同一组数据线,极大地提高了系统的可扩展性和资源利用率。
该器件还具备优异的噪声抑制能力和高输入阻抗,使其在复杂电磁环境中仍能保持稳定运行。由于采用CMOS技术,其静态功耗非常低,仅在状态切换时消耗能量,因此特别适合对功耗敏感但又需高性能的场合。此外,TTL电平兼容性确保它可以无缝集成到传统数字系统中,无需额外的电平转换电路。
54F245LMQB采用陶瓷扁平封装,具有良好的热稳定性和机械强度,能够承受剧烈的温度变化和振动冲击。这种封装形式也提供了较优的散热性能和高频信号完整性,适用于严苛的军用和航天环境。综合来看,该器件在速度、可靠性、功耗和环境适应性方面达到了高度平衡,是高端应用中的理想选择。
54F245LMQB广泛应用于对可靠性与性能要求极高的领域,尤其是在军事和航空航天系统中。它常被用作微处理器与外围设备之间的数据总线缓冲器,用于隔离不同模块间的电气干扰,并提升信号完整性。在雷达系统、飞行控制系统和卫星通信设备中,该器件负责高速数据的双向传递,确保关键信息能够及时准确地传输。
在高可靠性工业控制系统中,54F245LMQB用于PLC(可编程逻辑控制器)背板总线管理、多节点通信接口以及分布式I/O模块之间的数据交换。其宽温工作能力和抗干扰特性使其能在高温、低温或强电磁干扰环境下长期稳定运行。
此外,该器件也适用于测试测量仪器、高端服务器背板互连以及某些专用计算设备中,作为高速数据路径的关键组件。在需要长寿命、高可用性的嵌入式系统中,54F245LMQB因其长期供货保障和经过验证的可靠性而备受青睐。由于其三态输出和总线共享能力,它还能有效简化系统布线结构,降低整体设计复杂度。总的来说,凡是要求在极端条件下实现高速、可靠双向数据传输的应用,都是54F245LMQB的典型使用场景。
SNJ54F245FK