时间：2025/5/12 16:16:58
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GA1206A272KBBBT31G是一款高性能的工业级功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并减少热量损耗。
其封装形式为TO-247-3，适合大功率应用环境，并且具有良好的散热性能。通过优化栅极电荷设计，该芯片能够在高频工作条件下保持高效表现。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：1200V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大漏极电流Id：6A
导通电阻Rds(on)：272mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷Qg：35nC
开关时间：开启时间t_on=58ns，关闭时间t_off=36ns
功耗：19.2W（在Tc=25℃时）
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 高耐压能力，最大漏源电压高达1200V，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻设计，典型值为272毫欧姆，有助于降低导通损耗。
3. 总栅极电荷较低，仅为35纳库仑，支持高频开关操作。
4. 良好的热性能，采用TO-247-3封装，具备出色的散热能力。
5. 工作温度范围宽广，从-55℃到+175℃，满足恶劣环境下的使用需求。
6. 具备短路保护功能，增强了器件的可靠性与安全性。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 工业控制领域中的电机驱动电路。
4. 大功率LED驱动器中的关键功率器件。
5. 各种负载开关及保护电路中的隔离或切换组件。
6. 不间断电源(UPS)系统中的逆变器部分。
GA1206A272KBBBT25G, IRFP460, STGW12N60DF2
