时间：2025/9/2 9:55:19
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H9CKNNNBKTMTDR-NUH 是由SK Hynix（海力士）生产的一种高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）内存标准，广泛应用于移动设备、高性能计算设备、嵌入式系统以及需要高带宽和低功耗的场景中。H9CKNNNBKTMTDR-NUH 采用先进的制造工艺，具有较高的数据传输速率和能效比，适合在现代智能手机、平板电脑和便携式电子设备中使用。
容量：8GB（64Gb）
类型：LPDDR4 SDRAM
封装类型：FBGA
数据速率：4266 Mbps
工作电压：1.1V
时钟频率：2133MHz
数据宽度：x64
温度范围：0°C 至 85°C
封装尺寸：13mm x 14.5mm
JEDEC标准兼容：是
H9CKNNNBKTMTDR-NUH 具备多项先进特性，以满足现代电子设备对性能和能效的严格要求。首先，该芯片支持LPDDR4标准，提供高达4266Mbps的数据传输速率，显著提升了内存带宽，从而提高系统整体性能。
其次，H9CKNNNBKTMTDR-NUH 工作电压为1.1V，相较于前代LPDDR3内存，功耗显著降低，有助于延长移动设备的电池续航时间，并减少热量产生。
该芯片采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，尺寸为13mm x 14.5mm，适合高密度主板布局，适用于空间受限的便携式设备。
此外，H9CKNNNBKTMTDR-NUH 支持多银行组（Multi-Bank Groups）架构，提高了内存访问效率，减少了延迟。它还支持多种低功耗模式，如深度掉电模式（Deep Power Down Mode）、自刷新模式（Self-Refresh Mode）等，进一步优化了能效表现。
该芯片符合JEDEC标准，确保了其在各种系统中的兼容性和稳定性，适合工业级和消费级应用。
H9CKNNNBKTMTDR-NUH 主要应用于需要高性能和低功耗内存解决方案的设备。其中包括高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、嵌入式系统、高性能计算模块（如AI加速器、图像处理单元）以及工业自动化设备。由于其高带宽和低功耗特性，这款内存芯片也适用于需要大量数据处理能力的边缘计算设备和物联网（IoT）设备。在汽车电子领域，该芯片可被用于车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）等场景中。
H9HKNNNDBAMTDR-NUH, H9CKNNNBCTMMDR-NUH, H9HKNNNBBAMTDR-NUH
