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GA1210Y334KXAAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:52:34 查看 阅读:6

GA1210Y334KXAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性等特性,能够有效提升系统效率并减少能耗。
  这款 MOSFET 采用增强型设计,支持大电流负载,并具备出色的耐压性能,确保在各种复杂工作环境下仍能稳定运行。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:650V
  额定电流:30A
  导通电阻(最大):80mΩ
  栅极电荷(典型值):90nC
  连续漏极电流:30A
  功耗:200W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1210Y334KXAAR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,能够在高电流应用中显著降低功率损耗。
  2. 快速开关能力,适合高频开关电源及逆变器应用。
  3. 高击穿电压,提供可靠的过压保护功能。
  4. 内置 ESD 保护电路,增强了器件对静电放电的抵抗能力。
  5. 优秀的热性能设计,即使在高功率条件下也能维持较低的工作温度。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。

应用

该型号适用于多种电子领域中的核心组件,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)设计,用于提高效率和减小体积。
  2. 工业电机驱动,实现高效能量转换。
  3. 太阳能逆变器系统,优化能源利用。
  4. 电动汽车充电桩内的功率调节模块。
  5. 各类电池管理系统(BMS),保障充放电过程的安全与稳定。
  6. 电信设备中的 DC-DC 转换器,为通信基础设施提供可靠供电。

替代型号

IRFP250N
  FDP58N65
  STP30NF65

GA1210Y334KXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.33 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-