STB100NF04L 时间：2025/7/22 7:34:23 阅读：9

STB100NF04L 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流容量，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及汽车电子等多种应用场合。STB100NF04L采用TO-220AB封装，具备良好的热性能和可靠性，适合高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

STB100NF04L具有多个优良的电气和热性能特性，首先其极低的导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，非常适合用于高电流应用。其次，该MOSFET采用先进的TrenchFET技术，提供更高的功率密度和更小的芯片尺寸，有助于实现紧凑型设计。
　　此外，STB100NF04L具备良好的热稳定性，其TO-220AB封装具备良好的散热性能，可以在高功率工作条件下保持稳定运行。该器件的栅极设计支持快速开关，降低开关损耗，提高动态响应能力，适用于高频开关电源应用。
　　该MOSFET还具备较强的过载能力和短路耐受能力，适合用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统中。其高雪崩能量耐受能力也增强了器件在突发电压冲击下的稳定性，延长使用寿命。

应用

STB100NF04L 主要用于高电流功率转换系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和电源分配系统。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件在服务器电源、电信设备电源、工业自动化控制系统以及电动汽车充电模块中都有广泛应用。
　　在汽车电子领域，STB100NF04L可作为车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器的关键功率开关器件。同时，其优异的热性能和耐用性也使其适用于恶劣环境下的长期稳定运行。