时间：2025/8/9 16:21:01
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2SK2903-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高频开关和功率放大应用。该器件采用小型表面贴装封装，适用于需要高效率和紧凑设计的电源转换系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：300mA
最大漏-源电压：30V
最大栅-源电压：10V
导通电阻（Rds(on)）：5.5Ω @ Vgs=4.5V
栅极电荷：5.5nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-343
2SK2903-01MR 具备低导通电阻，有助于减少功率损耗，提高能效。其低栅极电荷特性使其适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高整体系统效率。
该MOSFET的封装设计支持表面贴装工艺，适合自动化生产，并提供良好的热管理和机械稳定性。
此外，该器件具有较高的工作温度耐受性，可在严苛环境下稳定工作，适用于工业控制、电源管理及高频DC-DC转换器等场景。
由于其小型化设计和优异的电气性能，2SK2903-01MR 也常用于便携式电子设备中的电源调节模块。
2SK2903-01MR 常用于以下应用场景：
1. 高频DC-DC转换器和电源模块
2. 便携式电子设备中的电源管理电路
3. 小型开关电源（SMPS）
4. 电池管理系统和负载开关
5. 工业自动化控制设备中的功率开关
2SK3018, 2SK2904, 2SK2906
