时间：2025/7/4 1:34:36
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TFC-115-02-F-D 是一种高性能薄膜电容器，主要用于高频和射频应用。它采用金属化薄膜技术制造，具有低ESR（等效串联电阻）和低ESL（等效串联电感），能够在高频条件下提供优异的性能。
该电容器适合于滤波、耦合和去耦等应用场景，并在高频率范围下表现出卓越的稳定性和可靠性。
额定电压：50V
电容量：0.01μF
耐压：63V
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
尺寸：11.5mm x 4mm
封装类型：径向引线
TFC-115-02-F-D 具有以下特点：
1. 超低ESR和ESL设计，非常适合高频电路应用。
2. 高稳定性，在温度和时间变化时保持稳定的电气性能。
3. 使用金属化薄膜技术，提高了自愈能力和可靠性。
4. 宽广的工作温度范围，能够适应恶劣的工作环境。
5. 径向引线封装，便于安装和焊接，同时具备良好的机械强度。
6. 符合RoHS标准，环保且安全。
TFC-115-02-F-D 广泛应用于各种高频电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 射频滤波器和匹配网络
2. 高速数据通信系统中的电源去耦
3. 医疗设备中的高频信号处理
4. 工业控制中的高频脉冲耦合
5. 汽车电子中的噪声抑制和滤波
其优异的高频特性和稳定性使其成为这些领域的理想选择。
TFC-115-02-F-E, TFC-115-02-F-C
