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S-LBAS21HT1G 发布时间 时间:2025/8/13 16:13:26 查看 阅读:9

S-LBAS21HT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的表面贴装(SMT)型双极性晶体管(BJT),属于 NPN 类型的射频(RF)晶体管。该器件专为高频放大和射频信号处理应用设计,广泛用于通信系统、射频功率放大器、无线基础设施和测试设备中。S-LBAS21HT1G 采用先进的制造工艺,具备良好的高频性能和稳定性,适用于工作频率较高的场合。

参数

类型:NPN 双极性晶体管
  最大集电极-发射极电压:30V
  最大集电极电流:100mA
  最大功耗:300mW
  工作频率范围:100MHz - 2GHz
  增益带宽积(fT):8GHz
  封装类型:SOT-23(表面贴装)
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  射频输出功率:典型值 100mW @ 900MHz

特性

S-LBAS21HT1G 具备多项优异的电气和机械特性,适用于高性能射频电路。首先,其高增益带宽积(fT)达到 8GHz,使其在高频应用中表现出色,能够支持高达 2GHz 的工作频率。该晶体管的 SOT-23 封装形式适合高密度 PCB 布局,并具有良好的热稳定性和机械强度。
  此外,该晶体管的低噪声系数和高线性度使其非常适合用于低噪声放大器(LNA)和射频接收器前端电路。其工作电压范围较宽(最大 VCE 为 30V),能够适应多种电源配置。S-LBAS21HT1G 还具备良好的互调失真(IMD)性能,有助于提高通信系统的信号质量和数据传输可靠性。
  该器件采用无铅封装,符合 RoHS 和 REACH 环保标准,适用于现代绿色电子制造流程。其封装和内部结构优化了射频性能,减少了寄生电容和电感,从而提高了整体电路效率。

应用

S-LBAS21HT1G 主要应用于射频通信系统、无线基站、低噪声放大器(LNA)、射频功率放大器、测试仪器、无线传感器网络和射频信号调理电路。由于其良好的高频特性和低噪声性能,该晶体管常用于移动通信设备中的射频前端模块,用于增强接收信号的灵敏度和减少干扰。在无线基础设施中,S-LBAS21HT1G 被广泛用于构建低噪声放大器和中频放大器,以提升系统整体性能。
  此外,该晶体管也适用于各种射频测试和测量设备,如频谱分析仪、信号发生器和功率计等,用于提供稳定的射频信号放大和处理。在工业和汽车电子领域,S-LBAS21HT1G 也常用于远程无线通信模块和射频识别(RFID)系统中,以实现可靠的数据传输和信号处理。
  由于其高稳定性和宽频带特性,S-LBAS21HT1G 也可用于构建射频混频器、频率合成器和本地振荡器电路,为复杂射频系统提供关键支持。

替代型号

BFP420, BFQ59, BFR93A, BFU520

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