时间：2025/6/14 8:47:17
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K9G4G08UOB-PCBO是三星（Samsung）生产的一款3D NAND闪存芯片，采用Toggle DDR接口标准，主要应用于存储设备中，如固态硬盘（SSD）、嵌入式存储和移动设备等。该芯片具有高容量、高性能和低功耗的特点，适合需要大存储空间的应用场景。
这款NAND闪存芯片基于先进的V-NAND技术，能够提供更快的数据传输速度和更高的耐用性，同时其堆叠架构有助于在有限的物理空间内实现大容量存储。
存储容量：256Gb（32GB）
接口类型：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
I/O数据宽度：8位
擦写周期：3000次（典型值）
数据保留时间：1年（在125°C环境下）
页面大小：16KB
区块大小：512MB
顺序读取速度：530 MB/s
顺序写入速度：370 MB/s
K9G4G08UOB-PCBO采用了三星的3D V-NAND技术，相比传统平面NAND，具备以下优势：
1. 更高的存储密度：通过垂直堆叠存储单元，显著提升了单位面积的存储容量。
2. 更快的速度：支持Toggle DDR 2.0接口，实现了更快的读写性能。
3. 更低的功耗：优化了芯片的工作能耗，在高速运行时保持较低的功耗水平。
4. 更长的寿命：改进的制造工艺提高了NAND闪存的耐用性和可靠性。
5. 稳定性强：适用于多种严苛环境，确保长时间使用中的数据安全与稳定。
K9G4G08UOB-PCBO广泛应用于各种需要大容量存储和高性能的设备中，具体包括：
1. 固态硬盘（SSD）：用于台式机、笔记本电脑和服务器等。
2. 嵌入式存储：如eMMC和UFS模块，应用于智能手机和平板电脑。
3. 工业级存储：如监控录像设备、工业计算机和医疗成像系统。
4. 消费电子：如数码相机、游戏机和其他多媒体设备。
该芯片凭借其出色的性能和稳定性，成为众多存储解决方案的核心组件。
K9G4G08U0B, K9G4G08U1B
