KHB3D0N90P 时间：2025/9/11 9:49:38 阅读：13

KHB3D0N90P是一种功率MOSFET，专为高效率电源转换和功率管理应用设计。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高要求的电力电子系统。

参数

类型：功率MOSFET
　　最大漏极电流：180A
　　最大漏源电压：900V
　　导通电阻：0.15Ω
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　最大功耗：300W

特性

KHB3D0N90P MOSFET采用了先进的沟槽技术，以实现极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力（900V）使其适用于高电压应用，如开关电源、电机控制和工业自动化设备。该器件的封装设计（TO-247）具有良好的热性能，可有效散热，确保在高负载条件下稳定运行。此外，该MOSFET具有快速开关特性，减少了开关损耗，并提高了整体系统性能。它还具备较高的可靠性和较长的使用寿命，能够在严苛的环境条件下正常工作。
　　在实际应用中，KHB3D0N90P的低栅极电荷（Qg）特性有助于提高开关速度，减少驱动电路的复杂性。同时，其较低的反向恢复电荷（Qrr）也使其适用于高频开关操作，进一步提高了系统效率。这种MOSFET的优异性能使其成为许多高功率应用的理想选择，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。