时间：2025/5/16 17:46:31
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S70GL02GS11FHI010 是一款由三星（Samsung）推出的 NAND 闪存芯片，主要用于数据存储应用。该芯片采用 3D TLC（Triple-Level Cell）技术，具备高密度和高性能的特性，适用于消费类电子产品、工业设备以及嵌入式系统中的数据存储需求。
这款芯片具有出色的可靠性和耐用性，能够满足长时间运行和高频次读写的需求。其设计优化了功耗与性能之间的平衡，适合需要大容量存储但对能耗有严格要求的应用场景。
容量：256GB
接口：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：BGA
引脚数：169
数据传输速率：400MT/s
擦写次数：3000 次（典型值）
工作温度范围：-25℃ 至 +85℃
存储温度范围：-40℃ 至 +125℃
S70GL02GS11FHI010 芯片采用了先进的 3D NAND 技术，相比传统平面 NAND 提供了更高的存储密度和更低的单位成本。以下是其主要特性：
- 高容量：单颗芯片即可提供 256GB 的存储空间。
- 快速接口：支持 Toggle DDR 2.0 接口协议，数据传输速率高达 400MT/s。
- 低功耗设计：通过优化电路架构，显著降低芯片在读写操作中的功耗。
- 可靠性高：具备强大的 ECC（Error Correction Code）纠错功能，确保数据完整性和可靠性。
- 多样化应用：适用于 SSD、UFS、eMMC 等多种存储解决方案。
- 工业级温度范围：能够在极端温度条件下稳定工作，适合户外或工业环境使用。
S70GL02GS11FHI010 主要应用于以下领域：
- 固态硬盘（SSD）：作为核心存储介质，提供高速和大容量的数据存储能力。
- 嵌入式系统：为物联网设备、工业控制器等提供可靠的存储支持。
- 移动设备：用于智能手机和平板电脑中的 UFS 或 eMMC 模块。
- 数据记录设备：如行车记录仪、监控摄像头等需要长期存储数据的设备。
- 医疗设备：支持医疗影像存储和其他关键数据的保存。
KLD31GQGAANP, H27UCG8T2CTR, MX30UF1G48AC
