PR3007G是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各种高效率功率转换系统中。该器件采用先进的沟槽技术,具有较低的导通电阻(RDS(on))和优异的热性能,能够在高电流条件下稳定工作。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大连续漏极电流(ID):7A
导通电阻(RDS(on)):28mΩ(典型值,VGS=10V)
功率耗散(PD):1.4W(表面贴装,TAM=25°C)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:SOP-8
PR3007G采用了先进的沟槽式MOSFET工艺,具有出色的导通性能和快速的开关特性。其导通电阻仅为28毫欧,在VGS=10V时可显著降低功率损耗,提高系统效率。该器件的封装形式为SOP-8,适用于高密度贴装设计,便于在有限空间内实现高效功率管理。此外,PR3007G具有较高的热稳定性,能够在高温环境下保持良好的工作性能。
其栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至20V的栅极驱动电压,兼容多种控制电路设计。器件具备良好的短路耐受能力和过载保护特性,适用于要求高可靠性的应用场景,如笔记本电脑电源、服务器电源、电机驱动和电池管理系统等。
PR3007G还具备较低的输入电容和输出电容,有助于降低开关损耗,提高系统的动态响应速度。其反向恢复时间较短,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。
PR3007G适用于多种功率电子系统,包括但不限于以下应用领域:
1. 电源管理单元:用于笔记本电脑、平板电脑、移动电源等设备中的电源控制和能量转换;
2. DC-DC转换器:作为主开关器件或同步整流器件,用于升降压转换器、反激式电源等;
3. 负载开关:用于控制外部设备的供电,如USB接口电源、显示屏背光电源等;
4. 电池管理系统:用于充放电回路控制、过流保护和电池切换等;
5. 工业自动化与电机控制:作为功率开关器件,用于直流电机驱动、继电器替代和负载调节等应用。
Si2302DS, AO3400A, IRF7404, FDS6675, BSS138