类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：75A（在TC=25℃时）
　　导通电阻（RDS(ON)）：3.0mΩ（最大值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）或类似表面贴装封装

WST03N10B具备多项优异特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件的高耐压能力（VDS=100V）使其能够适应较高电压的应用环境，适用于多种电源转换拓扑结构，如Buck、Boost和Flyback转换器等。此外，WST03N10B具有快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，提高了系统的动态响应能力。其先进的沟槽式结构设计进一步优化了导通性能和热稳定性，确保在高负载条件下仍能可靠运行。WST03N10B还具备良好的热阻特性，封装设计有助于快速散热，延长器件使用寿命。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持10V至20V的栅极驱动，适应不同的控制电路设计需求。此外，WST03N10B符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品设计。

WST03N10B广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。例如，在DC-DC转换器中，它可作为主开关器件，用于提高转换效率和输出稳定性。在电池管理系统中，该器件可用于充放电控制和过流保护。WST03N10B还可用于电机驱动电路，提供高效的功率输出和可靠的过载保护功能。在电源管理模块中，该MOSFET可用于负载开关、电压调节和功率分配。此外，该器件也适用于工业自动化设备、电动工具、电动车控制器和LED照明驱动等应用场景。其优异的导通性能和高可靠性使其成为高性能电源设计的理想选择。

IPD90N10S4-03, STP75NF75, IRF1404