制造商：AMD (Spansion)
　　系列：Am29F
　　存储容量：4 Mbit
　　存储结构：512 K × 8 / 256 K × 16
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：90ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：32-TSOP
　　接口类型：并行
　　写入耐久性：100,000 次擦写周期
　　数据保持时间：20 年以上
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　待机电流：≤ 100 μA
　　读取电流：≤ 25 mA
　　编程/擦除电流：≤ 30 mA

AM29F400BB-90ED 具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域中表现出色。首先，它采用高性能的 CMOS 技术与可靠的闪存单元设计，能够在单一 5V 电源下完成读取、编程和擦除操作，无需外部高压编程电源，极大简化了系统电源设计。其内建的电荷泵可在芯片内部生成所需的编程电压，使得仅需一个 Vcc 即可实现全功能操作，提升了系统的集成度与稳定性。
　　其次，该器件支持快速 90ns 的访问速度，能够满足中高速微处理器系统的实时读取需求，特别适合用于存放启动代码（Boot Code）、操作系统镜像或应用程序固件，确保系统上电后能迅速加载执行。此外，它具备完整的命令集，通过标准的写入命令序列（如解锁、编程、擦除等）可对芯片进行扇区级或整片擦除，支持按字节或字方式进行编程，灵活性高。
　　该芯片还提供多个硬件控制信号，包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），便于与各种微控制器和微处理器直接接口。其 BYTE 引脚允许用户在 8 位和 16 位数据总线模式之间动态切换，增强了与不同系统架构的兼容性。在可靠性方面，AM29F400BB-90ED 具备出色的耐久性和数据保持能力，可承受至少 10 万次的擦写周期，并保证数据在断电状态下保存超过 20 年，适用于长期运行且频繁更新固件的工业环境。
　　安全性方面，该器件支持软件数据保护机制，可通过特定命令序列启用或禁用编程与擦除操作，防止因误操作或异常供电导致的代码损坏。同时，其采用的工艺技术具有良好的抗干扰能力和温度稳定性，能在 -40°C 到 +85°C 的宽温范围内稳定工作，适用于恶劣工业环境。虽然该芯片不支持现代低功耗模式（如深度睡眠），但其待机电流较低（≤100μA），在非活跃状态下有助于节能。总体而言，AM29F400BB-90ED 是一款成熟可靠、易于使用的并行 Flash 存储器，适用于对成本、兼容性和稳定性要求较高的传统嵌入式系统设计。

AM29F400BB-90ED 主要应用于各类需要非易失性程序存储的嵌入式系统中。典型应用场景包括工业控制设备中的 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）面板和自动化仪表，这些设备通常需要存储固件、配置参数或用户程序，并要求在断电后仍能可靠保存数据。此外，该芯片广泛用于通信基础设施设备，如路由器、交换机、基站模块等，用于存放启动引导程序（Bootloader）或操作系统映像，确保设备每次上电都能正常初始化。
　　在消费类电子产品中，AM29F400BB-90ED 可见于老式打印机、复印机、数码相机和家用电器的主控板上，用于存储设备驱动程序或用户界面代码。由于其并行接口具备较高的数据吞吐能力，在需要快速加载程序代码的场合表现优异。同时，该器件也被用于汽车电子系统中，例如车载信息娱乐系统（IVI）、车身控制模块（BCM）和仪表盘控制器，尤其是在早期车型的设计中较为常见。
　　在医疗设备领域，该芯片可用于存储设备校准数据、操作日志或诊断程序，因其具备良好的数据保持性和环境适应性，适合在长时间运行且维护周期较长的设备中使用。此外，AM29F400BB-90ED 还常用于开发板和评估套件中，作为学习和测试 Flash 存储操作的教学工具，帮助工程师理解并行 NOR Flash 的读写时序与命令协议。
　　由于其引脚定义和时序规范已被广泛标准化，许多现有的电路设计手册和参考设计均包含该型号的应用实例，因此在系统升级或维修替换时具有较高的互换性。尽管目前主流趋势转向 SPI/QSPI 等串行接口 Flash 以节省空间和引脚资源，但在一些对总线速率敏感或依赖原有硬件架构的项目中，AM29F400BB-90ED 依然发挥着重要作用。

SST39VF400A-90-4C-EKE
　　MBM29F400BC-90PFNE
　　EN29F400AB-90TTC
　　AM29F400BT-90ED