类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）
　　封装类型：AB包（Flanged Package）
　　频率范围：1.8 MHz至125 MHz
　　输出功率：80W CW（连续波）
　　漏极电压：最大28V
　　增益：约20dB（典型值）
　　效率：典型65%
　　输入驻波比（VSWR）：<2.5:1
　　热阻（结到壳）：约0.8°C/W
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

MRF20080具备多项优异的电气和热性能特性，使其在射频功率放大应用中表现出色。该器件采用先进的LDMOS技术，能够在宽频率范围内提供稳定的高功率输出。其高效的功率放大能力使其在基站和广播设备等高功率应用中表现出色，同时降低了能耗和散热需求。MRF20080具有良好的线性度和稳定性，适用于需要高信号保真的应用，如数字通信系统和广播发射机。此外，其坚固的封装设计确保了在恶劣环境下的高可靠性和长寿命，能够承受高温和高功率应力。该器件还具备出色的抗失真能力，可在高功率下保持信号的清晰度和准确性，适用于多种高频和超高频应用。

MRF20080广泛应用于各类高功率射频系统，包括蜂窝通信基站（如GSM、CDMA、WCDMA等）、广播发射机（AM/FM广播）、工业加热设备、医疗射频设备以及高功率放大器模块。由于其在1.8 MHz至125 MHz频段内的高效性能，该器件特别适用于需要大功率输出和高稳定性的通信和工业系统。例如，在蜂窝基站中，MRF20080可用于功率放大器部分，为无线信号提供强大的发射能力；在广播设备中，它可作为主功率放大器，确保音频信号的高质量传输；在工业加热系统中，该晶体管可用于射频能量发生器，提供稳定的高频能量输出，以实现高效的材料加热和处理。

MRF20060, MRF20100