时间：2025/9/2 4:53:26
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H9CKNNNBKTATDR-NUH 是一款由Hynix（现代半导体）生产的高密度、高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）内存标准，专为移动设备和高性能计算应用设计。H9CKNNNBKTATDR-NUH 提供了高速数据传输能力、低功耗特性以及较高的存储密度，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对功耗和性能有较高要求的设备。
容量：8GB
类型：LPDDR4
频率：3200Mbps
电压：1.1V
封装：186-ball BGA
工作温度：-40°C ~ 85°C
H9CKNNNBKTATDR-NUH 是一款高性能低功耗内存芯片，其核心特性包括高数据传输速率、低功耗设计、紧凑的封装形式以及宽温工作范围。该芯片支持3200Mbps的数据传输速率，使得设备能够快速处理大量数据，适用于图形密集型应用和多任务处理场景。
其低功耗设计符合LPDDR4标准，采用1.1V的电源电压，有效降低设备整体功耗，延长电池续航时间，非常适合移动设备使用。此外，该芯片采用186-ball BGA（球栅阵列封装）封装，体积小巧，便于在空间受限的设备中布局。
该芯片还支持宽温度范围工作（-40°C至85°C），具备良好的环境适应性和稳定性，适用于各种复杂工况下的电子设备，如工业控制、车载系统和高端消费电子产品。
H9CKNNNBKTATDR-NUH 主要应用于高性能移动设备，如旗舰级智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外，它还可用于嵌入式系统、工业计算机、车载信息娱乐系统以及需要高带宽和低功耗内存的高端消费类电子产品中。
H9HKNNNCTMZATR-NUH
H9HKNNNCSMZATR-NUH
H9CKNNNBTMZATR-NUH
