时间：2025/8/14 12:46:31
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PJD40N04-AU_L2_000A1 是一款由Power Jiang Technology（力芯微）生产的高性价比N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动以及电池供电设备中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供较低的导通电阻和优异的热性能，适用于中高功率的开关应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：110A（在25℃）
导通电阻(Rds(on))：小于4.0mΩ（典型值）
封装形式：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55℃～150℃
功率耗散(Pd)：125W（最大值）
PJD40N04-AU_L2_000A1 采用先进的沟槽式MOSFET制造技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流工作条件下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其最大漏源电压为40V，栅源电压范围为±20V，确保了在高压应用中的稳定性和可靠性。
该MOSFET的连续漏极电流在25℃时可达110A，具备出色的电流承载能力，适用于高功率密度设计。其TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产与高密度PCB布局。
此外，该器件具有良好的热稳定性，工作温度范围从-55℃到150℃，适应各种严苛的工作环境。其最大功率耗散为125W，能够在较高温度下保持稳定运行。PJD40N04-AU_L2_000A1 的高可靠性和优良的电气性能，使其成为电源管理、同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等应用的理想选择。
这款MOSFET还具备优异的抗雪崩击穿能力，能够承受瞬态过压和过流情况，从而提高系统的鲁棒性。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，方便与各种控制IC配合使用。
PJD40N04-AU_L2_000A1 主要应用于各类中高功率电子系统中，包括但不限于：同步整流型DC-DC转换器、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、电动工具与无人机马达驱动、电源适配器、工业控制设备、LED照明驱动、服务器与通信设备电源模块等。由于其高电流能力和低导通损耗特性，非常适合用于需要高效能与高可靠性的电源管理系统。
Si444N04Y-T1-GE3, FDS4410, IRF1104NPbF, AO4410, AUIRF1104S
