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S27KS0641DPBHI020 发布时间 时间:2025/5/7 22:00:40 查看 阅读:23

S27KS0641DPBHI020 是一款由三星推出的高性能 NAND 闪存芯片,主要应用于消费电子、嵌入式系统以及需要大容量存储的场景。该芯片采用先进的制程工艺,提供高密度数据存储和快速读写能力,适用于各类需要稳定性和速度兼备的设备。

参数

容量:64Gb
接口类型:Toggle DDR 2.0
工作电压:1.8V
封装形式:WSON (Wafer-Level Package)
页大小:16KB
块大小:512KB
通道数:8
数据传输速率:最高可达400MT/s
工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

S27KS0641DPBHI020 是一种基于 NAND 技术的闪存芯片,具有高密度存储能力,适合大容量需求的应用环境。
它支持 Toggle DDR 2.0 接口协议,提供高达 400MT/s 的数据传输速率,从而显著提升了数据吞吐量。
该芯片使用了三星先进的制程技术,能够以较低功耗实现高效能运行。
其 WSON 封装设计减少了体积,非常适合空间受限的应用场合。
此外,这款芯片具备较高的耐用性,可以承受多次擦写循环,并且在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现。

应用

S27KS0641DPBHI020 广泛应用于需要高密度存储和快速数据访问的设备中,例如固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘、存储卡、嵌入式系统以及消费类电子产品。
它可以用于移动设备中的内部存储解决方案,如智能手机和平板电脑。
同时,它也适合作为工业级存储设备的核心组件,在极端环境下提供可靠的数据存储功能。
此外,该芯片还可用于网络设备、安防监控系统以及其他需要长期数据保存的领域。

替代型号

K9K4G08U1M, MX30UF1G48AC

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S27KS0641DPBHI020参数

  • 现有数量11现货
  • 价格1 : ¥36.57000托盘
  • 系列HyperRAM? KS
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式PSRAM
  • 技术PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间40 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-VBGA
  • 供应商器件封装24-FBGA(6x8)