时间：2025/5/7 22:00:40
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S27KS0641DPBHI020 是一款由三星推出的高性能 NAND 闪存芯片，主要应用于消费电子、嵌入式系统以及需要大容量存储的场景。该芯片采用先进的制程工艺，提供高密度数据存储和快速读写能力，适用于各类需要稳定性和速度兼备的设备。
容量：64Gb
接口类型：Toggle DDR 2.0
工作电压：1.8V
封装形式：WSON (Wafer-Level Package)
页大小：16KB
块大小：512KB
通道数：8
数据传输速率：最高可达400MT/s
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
S27KS0641DPBHI020 是一种基于 NAND 技术的闪存芯片，具有高密度存储能力，适合大容量需求的应用环境。
它支持 Toggle DDR 2.0 接口协议，提供高达 400MT/s 的数据传输速率，从而显著提升了数据吞吐量。
该芯片使用了三星先进的制程技术，能够以较低功耗实现高效能运行。
其 WSON 封装设计减少了体积，非常适合空间受限的应用场合。
此外，这款芯片具备较高的耐用性，可以承受多次擦写循环，并且在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现。
S27KS0641DPBHI020 广泛应用于需要高密度存储和快速数据访问的设备中，例如固态硬盘（SSD）、USB 闪存盘、存储卡、嵌入式系统以及消费类电子产品。
它可以用于移动设备中的内部存储解决方案，如智能手机和平板电脑。
同时，它也适合作为工业级存储设备的核心组件，在极端环境下提供可靠的数据存储功能。
此外，该芯片还可用于网络设备、安防监控系统以及其他需要长期数据保存的领域。
K9K4G08U1M, MX30UF1G48AC
