时间：2025/9/2 9:56:42
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H9CCNNNBPTMLBR-NTM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率4代）内存家族。这款芯片主要用于需要高带宽和低功耗的移动设备和嵌入式系统，如智能手机、平板电脑、便携式游戏设备等。其封装形式为BGA（球栅阵列封装），具备较高的集成度和较小的封装体积。
制造商：SK Hynix
产品系列：LPDDR4
存储容量：4GB
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V
封装类型：BGA
引脚数：134
工作温度：-40°C ~ +85°C
数据宽度：16位
H9CCNNNBPTMLBR-NTM 的 LPDDR4 技术使其在性能和功耗之间实现了良好的平衡。相比前代 LPDDR3，LPDDR4 在数据传输速率方面有了显著提升，同时工作电压降低至1.1V，有助于降低功耗并延长设备的电池续航时间。
该芯片采用了双通道架构，每个通道支持独立的地址和命令总线，从而进一步提高了数据传输效率。此外，它支持多种低功耗模式，如深度掉电模式和自刷新模式，适用于不同应用场景下的节能需求。
在封装方面，H9CCNNNBPTMLBR-NTM 使用了小型化的BGA封装技术，使其能够在空间受限的设备中轻松集成，同时保持良好的电气性能和稳定性。其宽广的工作温度范围也确保了在各种环境条件下都能可靠运行。
H9CCNNNBPTMLBR-NTM 主要应用于高性能移动设备和嵌入式系统，例如高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机和车载信息娱乐系统（IVI）。由于其高带宽和低功耗特性，该芯片非常适合用于需要大量数据处理和图形渲染的设备，同时也有助于提升设备的整体能效。
在工业和汽车电子领域，该芯片也可用于嵌入式控制系统、工业计算机和智能监控设备，满足对数据存储和处理能力有较高要求的应用场景。
H9CCNNNBPTMLBR-NTM 的替代型号包括 H9CCNNNBPTMLB-NTM（相同容量但可能封装或速率略有不同）、H9CCNNNBPTMLB-SCTC（不同供应商或特性）、H9CCNNNBPTMLB-SCTM、H9CCNNNBPTMLBR-SCTM 以及其他品牌的 LPDDR4 芯片，如美光（Micron）的 MT53B512M16A256A 和三星（Samsung）的 K3UH5H5CDAM-ACMA 等。
