时间：2025/8/6 21:55:47
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T9S0221803DH 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率功率转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供低导通电阻和高开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：4A
导通电阻(Rds(on))：最大22mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：DFN1006-6
T9S0221803DH 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体效率。在Vgs=10V时，Rds(on)最大仅为22mΩ，使得该器件在高电流应用中依然能保持较低的功率损耗。
此外，该MOSFET采用了先进的沟槽栅极结构，优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。其20V的漏源电压额定值使其适用于低压功率转换系统，如电池供电设备和DC-DC转换器。
T9S0221803DH 的封装为DFN1006-6，这是一种小型化、低高度的表面贴装封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合在紧凑型电子产品中使用。该封装还提供了良好的散热能力，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。
T9S0221803DH 广泛应用于多个领域的功率控制和转换系统中。在电源管理系统中，该器件可用于DC-DC降压或升压转换器，以实现高效的电压调节。由于其低导通电阻和高开关性能，特别适用于需要高效率和小尺寸设计的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
Si2302DS, BSS138K, 2N7002K, TPC2114
