时间：2025/8/16 20:32:52
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CJPF07N65 是一款由华润华晶微电子（无锡）有限公司生产的高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电压、高频率和高效率的功率转换应用，具有良好的热稳定性和低导通电阻特性。CJPF07N65 采用TO-220封装形式，适用于开关电源、电机驱动、逆变器、DC-DC转换器等多种电源管理系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：7A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
导通电阻（Rds(on)）：≤1.2Ω
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-220
CJPF07N65 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，其主要特性包括高耐压、低导通电阻和快速开关响应。该器件的最大漏源电压为650V，能够在高电压环境下稳定工作，适用于高压开关电源和逆变器等应用。其导通电阻Rds(on) 最大为1.2Ω，在7A电流下导通损耗较低，有助于提高系统的整体效率。
此外，CJPF07N65 的栅极阈值电压在2V至4V之间，使其适用于常见的驱动电路，如PWM控制器或微处理器输出。该器件具有良好的热稳定性，能够在150℃高温下正常工作，确保在高功率负载下的可靠性。
该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，便于安装在散热片上，适用于中高功率应用。其封装结构也提供了良好的机械强度和电气隔离，适合工业级和消费类电源设备使用。
CJPF07N65 适用于多种功率电子设备，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制器、逆变器以及各种中高功率的电源管理系统。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件特别适合用于需要高效率和高稳定性的场合，如工业自动化设备、家电电源模块、通信设备电源和新能源系统中的功率转换模块。
STP7NK60Z, FQP7N60, IRF7N60, 2SK2141
