L6385ED013TR是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高压栅极驱动器集成电路,常用于驱动功率MOSFET和IGBT。该器件采用高电压技术,能够在恶劣的工作环境下提供稳定的性能。L6385ED013TR广泛应用于开关电源、电机控制、照明系统和工业自动化设备中。该芯片采用紧凑型TSSOP封装,便于在PCB上布局,同时具备多种保护功能,如欠压锁定、过流保护等,提高了系统的可靠性和安全性。
电源电压范围:7V 至 20V
高压侧电源电压:最高可达600V
输出电流能力:拉电流200mA,灌电流350mA
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:TSSOP 14引脚
传播延迟:典型值85ns
输入逻辑类型:TTL/CMOS兼容
驱动能力:适用于MOSFET和IGBT
最大工作频率:200kHz
L6385ED013TR具有多项先进特性,确保其在复杂电子系统中的高效运行。其高压侧浮动电源设计支持高达600V的电压,使其适用于高电压应用环境。该器件内部集成自举二极管,简化了外围电路的设计。此外,L6385ED013TR具备欠压锁定(UVLO)功能,在电源电压低于安全阈值时自动关闭输出,防止功率器件误动作。其输出驱动能力强,拉电流和灌电流分别达到200mA和350mA,能够快速开关功率器件,降低开关损耗。
L6385ED013TR的输入端兼容TTL和CMOS电平,方便与微控制器、PWM控制器等数字电路连接。该芯片的传播延迟时间较短,典型值为85ns,有助于提高系统的响应速度和稳定性。其工作频率可支持高达200kHz,适用于高频开关应用,从而减小磁性元件的体积,提高功率密度。
此外,L6385ED013TR内置了多种保护机制,如交叉传导保护和过流保护,有效防止功率器件在异常工作条件下的损坏。其紧凑的TSSOP 14引脚封装不仅节省PCB空间,还提高了焊接可靠性和散热性能。该芯片在工业级温度范围(-40°C至+150°C)内稳定工作,适用于各种严苛环境下的应用需求。
L6385ED013TR广泛应用于需要高压栅极驱动的电子系统中。在开关电源领域,该芯片常用于半桥或全桥拓扑结构中,驱动功率MOSFET或IGBT以实现高效的DC-DC转换和AC-DC转换。在电机控制应用中,L6385ED013TR可用于驱动H桥电路,控制直流电机或无刷直流电机的运行方向和速度。此外,该芯片也适用于LED照明系统中的高频开关驱动,提高照明设备的能效和亮度调节精度。
工业自动化设备中,L6385ED013TR可用于驱动各种功率开关器件,实现对负载的精确控制。在感应加热、等离子切割等高功率应用中,该芯片的高压驱动能力能够确保功率器件的稳定工作。此外,L6385ED013TR还可用于不间断电源(UPS)、光伏逆变器、电动汽车充电模块等新能源系统中,提高系统的整体效率和可靠性。
L6385E, IR2113, IR21844, FAN7382, NCP5109