H9CCNNNBPTML 时间：2025/9/1 22:11:37 阅读：26

H9CCNNNBPTML 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高带宽存储器类别，广泛用于需要高性能存储解决方案的应用场景，如高端图形处理、人工智能计算和嵌入式系统。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，提供高密度存储和优异的数据传输性能，适合对内存带宽和容量要求较高的现代电子设备。

参数

容量：2GB
　　类型：DRAM
　　封装类型：BGA
　　接口类型：LPDDR4x
　　频率：4266Mbps
　　电压：1.1V
　　工作温度范围：-40°C至85°C

特性

H9CCNNNBPTML 具备低功耗设计，适用于移动设备和嵌入式系统，能够在高负载工作条件下保持良好的能效比。这款芯片支持高带宽数据传输，满足高性能计算（HPC）和图形处理应用的需求。此外，H9CCNNNBPTML 提供了增强的热管理和数据完整性保护功能，确保在复杂环境下的稳定运行。其采用的LPDDR4x接口支持更高的数据速率，同时降低了功耗，有助于提升设备的整体性能和续航能力。
　　该芯片还具备优异的可靠性和耐用性，经过严格测试，能够在高温和高负载环境下保持稳定的性能。此外，H9CCNNNBPTML 的封装设计优化了PCB布局空间，使其适用于紧凑型设备的高密度内存配置。它还支持多种刷新模式和自刷新功能，有助于延长数据保存时间并降低功耗。

应用

H9CCNNNBPTML 常用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、智能摄像头、高性能计算加速卡以及嵌入式视觉和AI系统。由于其高带宽和低功耗特性，该芯片也适用于需要大量内存带宽的GPU和AI加速模块。此外，它还被广泛应用于工业自动化、车载信息娱乐系统以及网络设备等领域，满足这些应用对内存性能和稳定性的高要求。