时间：2025/5/12 20:42:20
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PSB50505EV1.3-G是一款基于硅基工艺的高压功率半导体器件，主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等场景。该型号属于Power MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）系列，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
该芯片采用TO-247封装形式，适合需要高效率和高可靠性的电力电子系统设计。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：50A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：65nC
开关速度：100kHz
功耗：250W
工作温度范围：-55℃至175℃
PSB50505EV1.3-G具备以下显著特性：
1. 高耐压能力：能够承受高达500V的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：仅为1.3mΩ，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
3. 快速开关性能：具备低栅极电荷和快速开关速度，可有效减少开关损耗。
4. 高可靠性：通过严格的电气和环境测试，确保在极端条件下的稳定运行。
5. 大电流承载能力：支持最高50A的连续漏极电流输出，满足大功率需求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. 工业逆变器
4. 新能源汽车充电桩
5. 光伏逆变器
6. 高效DC-DC转换器
其出色的电气特性和可靠性使其成为众多电力电子应用的理想选择。
PSB50505EV1.5-G, IRFP460, FDP18N50C
