RF2317TR 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)设计和制造的射频功率放大器(PA)芯片,广泛用于无线通信系统中,以提高射频信号的输出功率。该器件采用 GaAs(砷化镓)技术,提供高线性度、高效率和出色的输出功率能力,适用于多种无线通信标准。
频率范围:800 MHz 至 960 MHz
输出功率:典型值为 35 dBm(2 W)
增益:典型值为 28 dB
电源电压:+5V 至 +7.5V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
RF2317TR 的主要特性之一是其宽频带操作能力,适用于 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等多种无线通信标准。该芯片采用 50Ω 输入/输出匹配设计,简化了外围电路的集成。其内部集成了级间匹配网络,减少了外部组件的数量,从而降低了设计复杂度并节省了电路板空间。
该器件具有高线性度,这对于现代通信系统中多载波和高阶调制信号的放大至关重要。此外,RF2317TR 提供了良好的热管理和过热保护功能,确保在高功率操作下器件的稳定性和可靠性。其封装形式为 28 引脚 TSSOP,便于表面贴装和自动化生产。
RF2317TR 还具有良好的效率表现,减少了电源消耗,特别适合对功耗敏感的基站和无线基础设施应用。
RF2317TR 常用于基站、无线接入点、测试设备和工业通信设备等场景。它适用于需要中高功率放大的应用,例如蜂窝通信系统中的发射链路、无线本地环路(WLL)、WiMAX 基站和数字广播发射器等。由于其高可靠性和稳定性,该器件也广泛应用于恶劣环境下的工业和军事通信设备中。
在无线基础设施中,RF2317TR 可用于多载波 GSM 系统的功率放大,支持多频段操作。在测试设备中,它可用于射频信号发生器和功率放大模块的设计。此外,该器件还可用于无线音频和视频传输设备,以增强信号覆盖范围和传输质量。
RF2318TR, HMC350ST89, APT2012PVN