H5TQ2G63GFR-R0C 是由SK Hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于移动低功耗DRAM(LPDRAM)类型,广泛用于需要低功耗和高性能的便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。这款DRAM芯片采用了高密度存储技术,提供2Gb(Gigabit)的存储容量,适用于现代移动设备和嵌入式系统的内存需求。
类型:DRAM
容量:2 Gb
封装类型:BGA
接口类型:LPDDR4
工作电压:1.1V
数据传输速率:3200 Mbps
工作温度范围:-40°C至85°C
H5TQ2G63GFR-R0C 的一大特点是其低功耗特性,非常适合用于电池供电的设备,以延长设备的使用时间。该芯片采用LPDDR4接口,提供高达3200 Mbps的数据传输速率,满足了高性能计算和图形处理的需求。此外,该芯片采用先进的制造工艺,确保在高密度存储的同时保持良好的稳定性和可靠性。
其封装形式为BGA(球栅阵列封装),有助于提高信号完整性并减少封装尺寸,适合现代便携设备的紧凑设计。H5TQ2G63GFR-R0C 还支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式和自刷新模式,进一步优化了能耗管理。
此外,该芯片具有良好的温度适应能力,能够在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作,适合在各种环境条件下使用。其高集成度设计也有助于减少PCB布局的复杂性,并提升系统的整体性能。
H5TQ2G63GFR-R0C 主要用于需要高性能和低功耗内存的移动设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式游戏设备。此外,它也适用于各种嵌入式系统和工业控制设备,特别是在对功耗和空间有严格要求的应用场景中。由于其高速数据传输能力和稳定性,该芯片也可用于图形处理单元(GPU)、多媒体播放器和高端物联网(IoT)设备。
H5TQ2G63AFR-RDC, H9HKNNNCTUMUDC-NEE