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HRPF58723BTB 发布时间 时间:2025/4/28 21:01:03 查看 阅读:29

HRPF58723BTB 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺设计,适用于高效率、高频率开关应用。该芯片具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及各种工业控制领域。
  HRPF58723BTB 的封装形式为 TO-263(D2PAK),具备良好的散热特性和机械稳定性。其内部结构经过优化,可以有效降低开关损耗并提高整体系统效率。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷(典型值):90nC
  输入电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  结温:175℃
  存储温度范围:-65℃ to +150℃

特性

HRPF58723BTB 的主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提升效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代高效电源设计。
  3. 高额定电流和坚固耐用的设计使其能够应对严苛的工作环境。
  4. 出色的热稳定性和鲁棒性,确保长时间可靠运行。
  5. 封装兼容性强,便于集成到各种 PCB 设计中。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

HRPF58723BTB 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 AC-DC 适配器。
  2. DC-DC 转换器及同步整流电路。
  3. 电机驱动与逆变器控制。
  4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统。
  6. LED 照明驱动电源及其他高效能电子系统。

替代型号

IRF540N
  FDP5802
  AO3400

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