时间：2025/7/9 20:48:15
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GRT0335C1H100JA02D 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺，专为高频开关应用设计。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于直流-直流转换器、电源适配器、LED驱动器以及其他需要高效能量转换的场景。
该型号属于 GRT 系列 MOSFET 产品线，封装形式为 SOT-23，其小尺寸设计使其非常适合空间受限的应用环境。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：100mΩ
栅极电荷：4nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
GRT0335C1H100JA02D 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速的开关性能，支持高频操作，能够有效降低开关损耗。
3. 小型化封装 SOT-23，便于在紧凑型电路板上使用。
4. 高可靠性设计，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 内置静电防护功能，增强器件的耐用性。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为主开关元件。
2. 移动设备充电器和适配器中的同步整流电路。
3. LED 照明系统中的驱动控制电路。
4. 电机驱动和负载切换等功率管理相关场景。
5. 便携式电子产品中的电池保护与管理模块。
GRT0335C1H100JA02D 凭借其高效的性能表现，在这些应用中展现出卓越的节能效果。
GRT0335C1H100JA01D, GRT0335C1H120JA02D
