时间：2025/9/1 23:21:12
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H5TC2G83GFR-PBAR是一种由SK Hynix制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于需要高性能存储解决方案的应用场合。这种存储器芯片通常用于计算机、服务器、嵌入式系统和其他需要快速数据处理的设备。
容量：2Gbit
类型：DRAM
封装类型：FBGA
电压：1.8V
数据宽度：x8
时钟频率：166MHz
工作温度范围：-40°C至85°C
H5TC2G83GFR-PBAR是一款高性能的DRAM芯片，具有低功耗和高稳定性的特点。它采用了先进的制造工艺，确保了在高频率操作下的可靠性和性能。
这款芯片支持自动刷新和自刷新模式，有助于保持数据完整性并降低功耗。此外，它还支持多种操作模式，包括 burst mode 和 page mode，以提高数据传输效率。
该DRAM芯片的封装设计紧凑，适合在空间受限的应用中使用。其工作温度范围宽广，使其能够在各种环境条件下稳定工作。
H5TC2G83GFR-PBAR常用于个人电脑、服务器、网络设备、工业控制系统以及需要高性能存储解决方案的嵌入式系统中。
H5TC2G83GFR-PBA
