FDS4425-NL是一款N沟道增强型MOSFET,由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产。该器件采用SO-8封装形式,适用于多种开关和功率管理应用。其低导通电阻和高击穿电压特性使其成为高效能电源设计的理想选择。
FDS4425-NL的主要特点是具有较低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时,其快速开关速度也适合高频开关应用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:13A
导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:29nC(典型值)
总电容:125pF(典型值)
功耗:100W
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 低导通电阻(Rds(on))使得在大电流应用中降低功耗成为可能。
2. 高击穿电压确保了其能够在较高的电压环境中稳定运行。
3. 快速开关速度,适合高频开关电源、DC-DC转换器等应用。
4. 小型SO-8封装节省空间,并且便于安装。
5. 良好的热性能,能够承受较高的环境温度。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 逆变器和光伏系统的功率管理模块。
6. 各类工业自动化设备中的功率切换功能。
IRFZ44N, FDP5800, PSMN022-60YL