类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：100 mA
　　漏极-源极电压（VDS）：100 V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.3 Ω @ VGS = 10 V
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：100 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

LBSS138N3T5G MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，使得导通电阻较低，从而降低了导通损耗，提高了能效。其1.3 Ω的RDS(on)值在100 mA的漏极电流下表现良好，适合用于低功耗开关电路。该器件的栅极驱动电压范围为±20 V，确保了在多种驱动条件下都能稳定工作。此外，LBSS138N3T5G具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在恶劣的环境条件下运行。SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于在高密度PCB布局中使用，适用于便携式电子设备和嵌入式系统。
　　该MOSFET的漏极-源极击穿电压为100 V，使其适用于中等电压的电源管理应用。其工作温度范围从-55°C到+150°C，确保了在极端温度条件下的稳定性。LBSS138N3T5G还具有快速开关能力，减少了开关损耗，提高了整体系统的效率。该器件的设计使其在低电压、低电流的应用中表现出色，例如在逻辑电平驱动、小型电源适配器和电池管理系统中。

LBSS138N3T5G适用于多种电子设备和系统，包括电源管理模块、便携式电子设备、逻辑电平驱动电路、小型电源适配器、电池管理系统以及通用开关电路。该MOSFET还可用于低功耗DC-DC转换器、负载开关和电机控制应用。由于其SOT-23封装的小型化设计，LBSS138N3T5G特别适合用于空间受限的电路设计，如智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品。此外，该器件在工业自动化控制系统、传感器接口电路和嵌入式系统中也有广泛的应用。

2N7002, BSS138, FDN335N