TFM-120-01-S-D是一款高性能的薄膜金属电阻器,采用薄膜技术制造,具有高精度、低温度系数和优异的长期稳定性。该器件适用于对精度和稳定性要求较高的电路设计,广泛用于工业控制、通信设备、医疗电子等领域。
这种电阻器的特点是其薄膜结构能够提供更小的噪声和更高的频率响应,非常适合高频应用环境。此外,TFM系列电阻器还具有优良的抗硫化性能,能够在恶劣环境下保持稳定的工作状态。
电阻值:120欧姆
功率额定值:0.1W
工作电压:75V
阻值容差:±0.1%
温度系数:±10ppm/°C
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装形式:SMD 0603
抗硫化等级:Level 3
TFM-120-01-S-D采用了先进的薄膜沉积工艺,保证了产品具有以下特点:
1. 高精度:阻值容差达到±0.1%,适合精密测量和信号调节等场合。
2. 低温度漂移:±10ppm/°C的低温度系数确保在不同温度条件下具有稳定的性能。
3. 小型化设计:SMD 0603封装使其适合于高密度贴片组装。
4. 抗硫化能力:符合Level 3标准,能够在含硫环境中长时间使用而不受影响。
5. 低噪声:薄膜电阻器相比传统绕线或碳膜电阻器具有更低的噪声水平,尤其适用于射频和音频电路。
6. 稳定性:具备优秀的长期稳定性,即使在长时间运行后也能维持初始阻值。
该型号电阻器主要应用于需要高精度和高稳定性的场景,具体包括:
1. 工业自动化控制中的精密信号调理电路。
2. 医疗仪器,例如血压计、心电图机等设备中的信号放大和滤波。
3. 通信系统中的射频前端电路。
4. 数据采集模块中的基准电压分压网络。
5. 汽车电子领域中的传感器接口电路。
6. 音频处理设备中的增益调整和匹配负载。
由于其抗硫化性能,该电阻器也特别适合用于工业环境或户外设备中。
TFM-120-01-S-E, TFM-120-01-S-F