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EEHZE1J820V 发布时间 时间:2025/6/11 18:22:18 查看 阅读:19

EEHZE1J820V 是一款由东芝(Toshiba)生产的高压 MOSFET 芯片,属于东芝 E-EHV 系列。该系列器件广泛应用于需要高电压和高效能的场景中。EEHZE1J820V 具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于开关电源、电机驱动以及工业控制等应用领域。
  这款芯片采用 TO-220 封装形式,便于散热并适合多种电路板设计需求。

参数

型号:EEHZE1J820V
  类型:N沟道 MOSFET
  VDS(漏源极电压):800V
  RDS(on)(导通电阻):5.5Ω(典型值,@VGS=10V)
  ID(连续漏极电流):0.27A
  f(tsw)(开关频率):100kHz
  封装形式:TO-220
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

EEHZE1J820V 的主要特点是其能够在高达 800V 的漏源极电压下稳定工作,并且具有低导通电阻以减少功率损耗。同时,它具备快速开关能力,有助于提高整体系统效率。
  此外,这款 MOSFET 在高温环境下依然能够保持良好的性能稳定性,这使得它非常适合用于恶劣环境下的电力电子设备。
  东芝对 EEHZE1J820V 进行了优化设计,使其具有更强的雪崩耐量能力和更高的可靠性,从而延长使用寿命。这种特性对于要求长时间运行而无需维护的应用尤为重要。

应用

EEHZE1J820V 广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 工业设备中的电机驱动电路。
  3. 家用电器的控制器部分,如空调、洗衣机等。
  4. LED 驱动器及照明系统的高压组件。
  5. 各种工业自动化控制系统中的高电压切换节点。
  由于其出色的电气特性和机械结构,EEHZE1J820V 成为众多工程师在高电压应用场景下的首选解决方案之一。

替代型号

EEHZE1K820V, EEHZE1J650V

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