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GA1812A681FXAAR31G 发布时间 时间:2025/6/6 20:29:49 查看 阅读:7

GA1812A681FXAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率电源转换和电机驱动领域。该器件采用先进的沟槽式工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合在高频条件下工作。
  这款功率MOSFET支持大电流应用,并且具备良好的热性能,能够有效降低系统功耗,提升整体效率。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:650V
  额定电流:12A
  导通电阻:45mΩ(典型值)
  栅极电荷:35nC(最大值)
  连续漏极电流:12A(Tc=25℃)
  总功耗:27W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

GA1812A681FXAAR31G的主要特性包括:
  1. 低导通电阻设计,可显著减少导通损耗。
  2. 快速开关能力,支持高频应用。
  3. 高击穿电压,确保在高压环境下的稳定性。
  4. 内置ESD保护功能,增强器件的可靠性。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
  这些特性使得该芯片非常适合于各种高效率、紧凑型设计需求的应用场景。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)。
  2. DC-DC转换器。
  3. 电机驱动控制器。
  4. 太阳能逆变器。
  5. LED驱动器。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  由于其出色的性能,GA1812A681FXAAR31G成为许多高要求功率应用的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  FDP18N06L
  STP12NF06
  AO3400

GA1812A681FXAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-