时间：2025/8/16 4:58:45
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QM12114TR13-5K是一款由Qorvo公司制造的射频（RF）晶体管，主要用于射频功率放大器和无线通信应用中。该器件采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，具备高效能和高频率响应的特性。该晶体管适用于多种无线基础设施设备，包括蜂窝基站、微波通信系统和其他高性能射频应用。
类型：射频功率晶体管
技术：HEMT（高电子迁移率晶体管）
封装类型：表面贴装（SMD）
频率范围：12 GHz 至 14 GHz
输出功率：典型值为 50 W（峰值）
增益：典型值为 10 dB
效率：典型值大于 50%
工作电压：28 V
工作电流：最大 1.5 A
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
QM12114TR13-5K 是一款专为高性能射频功率放大设计的 GaN HEMT 晶体管。该器件在12GHz至14GHz的频率范围内提供出色的输出功率和效率，适用于现代无线通信系统。其HEMT结构提供了高电子迁移率，从而实现了高频操作和低导通损耗。该晶体管的设计使其能够在高温和高功率条件下稳定运行，具有良好的热管理和可靠性。此外，该器件的封装形式适合表面贴装工艺，便于集成到各种射频电路板中。
该晶体管的典型应用包括蜂窝基站、微波链路、雷达系统和测试设备中的功率放大器模块。QM12114TR13-5K 的高功率密度和宽带宽特性使其成为需要高线性度和高效率的无线基础设施应用的理想选择。此外，其28V的工作电压设计符合许多标准射频电源系统的要求，简化了系统集成过程。
QM12114TR13-5K 主要用于以下应用领域：蜂窝通信基站的射频功率放大器、点对点和点对多点微波通信系统、雷达和测试测量设备中的高功率射频放大模块。该器件的高频率响应和高输出功率特性使其非常适合于需要宽带宽和高可靠性的现代无线基础设施。此外，它还可用于卫星通信和工业控制系统中的射频能量传输应用。
QM12114TR13, QM12114TR13-5
