时间：2025/9/2 9:24:12
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H5MS2G62AFR-E3M 是由SK hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于移动式DRAM类别，通常用于需要高性能和低功耗的移动设备，如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。该芯片采用FBGA封装，具有较高的存储密度和较快的数据访问速度，适用于现代电子设备对内存性能的高要求。
容量：256MB
组织结构：16M x16
电压：1.7V - 3.6V
速度：10ns（最大）
封装类型：TSOP
引脚数：54-pin
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H5MS2G62AFR-E3M 以其高可靠性和低功耗设计著称，特别适合用于便携式电子产品。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，可在不丢失数据的情况下延长电池寿命。
其16M x16的组织结构提供了256MB的存储容量，适用于多种内存需求较高的应用场景。此外，该芯片支持1.7V至3.6V的宽电压范围，使其能够在不同电源条件下稳定运行，增强了其适应性。
在性能方面，H5MS2G62AFR-E3M 提供了10ns的最快访问速度，确保了快速的数据读写能力，这对于实时数据处理和高性能计算非常重要。
此外，该芯片采用TSOP封装，具有良好的散热性能和较小的封装体积，适合紧凑型电子设备的设计需求。其工作温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在各种恶劣环境下稳定运行。
H5MS2G62AFR-E3M 主要应用于需要高性能、低功耗和较大内存容量的设备。常见的应用包括智能手机、平板电脑、工业控制设备、车载电子系统、手持式测量仪器以及各种嵌入式系统。由于其宽电压范围和宽温度范围的特性，它也适用于户外设备和工业环境中的高可靠性系统。
H5MS2G62EFR-E3M, H5MS2G62BFR-E3M, H5MS2G62AFR-R4M
