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BUK545-100B 发布时间 时间:2025/7/10 7:29:43 查看 阅读:11

BUK545-100B 是一款 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET),由安森美半导体 (ON Semiconductor) 生产。该器件具有低导通电阻和高开关速度,适用于多种电力电子应用中的高频切换和高效能转换。
  这款 MOSFET 采用 DPAK 封装形式,适合表面贴装技术 (SMT),能够提供出色的热性能和电气性能。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:49nC
  总功耗:12W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

BUK545-100B 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),确保了在大电流下的高效运行,减少了功率损耗。
  2. 高速开关能力,使得其非常适合高频开关电源和 DC-DC 转换器应用。
  3. 具备增强型雪崩击穿能量 (EAS),提高了在异常情况下的耐用性。
  4. 热稳定性强,能够在较高的结温下可靠工作。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

BUK545-100B 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器和主开关。
  2. DC-DC 转换器和逆变器中的功率开关。
  3. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  5. 电池管理系统 (BMS) 和其他需要高效功率管理的场合。

替代型号

IRFZ44N
  STP12NF10
  FDP16N10
  IXFN120N10T2

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