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GQM1555C2D3R4CB01D 发布时间 时间:2025/5/10 19:17:56 查看 阅读:11

GQM1555C2D3R4CB01D 是一款高性能的射频开关芯片,主要用于通信设备中的信号切换和路由选择。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具备低插入损耗、高隔离度和快速切换时间的特点,适用于多种无线通信系统。
  该型号支持宽频率范围,能够满足现代通信系统对高频段和低功耗的需求。其封装设计紧凑,便于在小型化和高密度电路板中使用。

参数

工作电压:2.7V~5.5V
  频率范围:DC~6GHz
  插入损耗:0.5dB(典型值)
  隔离度:35dB(最小值)
  切换时间:1纳秒
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40℃~+85℃

特性

GQM1555C2D3R4CB01D 的主要特性包括:
  1. 高线性度,适合处理大功率信号。
  2. 低导通电阻,有助于降低功耗并提高效率。
  3. 支持SPI控制接口,简化了数字控制操作。
  4. 内置ESD保护功能,增强芯片的抗静电能力。
  5. 具备关断模式,可进一步降低待机功耗。
  6. 良好的热性能表现,确保长时间稳定运行。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 移动通信基站中的射频前端模块。
  2. 智能手机和其他便携式设备的天线切换。
  3. Wi-Fi路由器和接入点中的信号路径管理。
  4. 卫星通信系统中的信号路由。
  5. 雷达和国防电子系统中的信号切换。
  6. 物联网(IoT)设备中的多频段支持。

替代型号

GQM1555C2D3R4CB02D
  GQM1555C2D3R4CB03D
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GQM1555C2D3R4CB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.77981卷带(TR)
  • 系列GQM
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3.4 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-