2SJ466是一种P沟道MOS场效应晶体管(MOSFET),广泛用于开关和放大电路中。该晶体管采用TO-92封装,适用于低功率应用。2SJ466具有良好的稳定性和较低的导通电阻,适合在各种电子设备中使用。
类型:P沟道MOSFET
封装类型:TO-92
最大漏极电流(ID):-100mA
最大漏源电压(VDS):-30V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大功耗:300mW
导通电阻(RDS(on)):约5Ω
工作温度范围:-55°C至+150°C
2SJ466的主要特性包括其P沟道结构,使其在负电压工作条件下表现良好。该器件具有较高的开关速度,适合用于数字和模拟开关应用。此外,其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高能效。由于其TO-92封装,2SJ466在印刷电路板(PCB)上占据的空间较小,适合空间受限的设计。
这款MOSFET的栅极绝缘层提供了较高的输入阻抗,使其在控制电路中非常稳定。它能够在较宽的温度范围内工作,确保在各种环境条件下的可靠性。此外,2SJ466的制造工艺确保了良好的批次一致性,降低了设计和调试过程中可能出现的问题。
该晶体管的低功耗特性使其非常适合电池供电设备和低功耗电子产品。由于其结构简单,使用该器件的设计电路也相对容易,降低了设计复杂性和成本。
2SJ466通常用于低功率开关应用,如LED驱动、小型电机控制、电源管理电路和逻辑电平转换。它也常用于音频放大器的前置级、信号处理电路以及各种传感器接口电路。由于其小型封装,它在便携式电子设备和嵌入式系统中也很受欢迎。
2SJ103、2SJ162、2SJ449、2SJ477