T4104D 时间：2025/9/2 20:13:36 阅读：6

T4104D是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高功率开关应用，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种高效率功率电子系统。T4104D具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，能够承受较大的工作电流和较高的工作温度。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大14mΩ（在Vgs=10V条件下）
　　功率耗散（Ptot）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK（表面贴装）

特性

T4104D的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)）设计，使其在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提升系统效率。此外，该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保了良好的热性能和电流承载能力。
　　该MOSFET具有较高的栅极电荷（Qg）控制能力，适合高频开关应用。其快速的开关速度有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。T4104D还具备良好的短路和过载保护能力，提高了系统可靠性。
　　封装方面，T4104D提供TO-220和D2PAK两种形式，其中D2PAK适合表面贴装技术（SMT），便于在高密度PCB设计中使用，同时具备良好的热管理能力。这使得T4104D在汽车电子、工业电源、电池管理系统等领域有广泛应用。

应用

T4104D广泛应用于多种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、逆变器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统等。由于其具备高电流承载能力和良好的热稳定性，该器件特别适合在汽车电子系统中使用，例如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池保护电路等。
　　在工业领域，T4104D常用于电源模块、伺服驱动器、UPS不间断电源以及智能电表等设备。此外，其优异的开关性能也使其适用于太阳能逆变器和储能系统的功率控制部分。