型号：SIR72802F0A11
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：25 A（TC=25°C）
　　导通电阻RDS(on) max：4.5 mΩ（@ VGS = 10 V）
　　导通电阻RDS(on) max：6.0 mΩ（@ VGS = 4.5 V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.2 V ~ 2.3 V
　　栅极电荷（Qg）：13 nC（@ VDS = 15 V, ID = 12.5 A）
　　输入电容（Ciss）：920 pF（@ VDS = 15 V）
　　功率耗散（PD）：45 W（TC=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L

SIR72802F0A11采用Vishay先进的TrenchFET?沟道技术，实现了超低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其关键特性之一是极低的RDS(on)，在VGS = 10 V时最大仅为4.5 mΩ，这使得器件在大电流应用中能够显著减少传导损耗，提升电源转换效率。同时，在VGS = 4.5 V条件下仍能保持6.0 mΩ的低导通电阻，表明其适用于低电压逻辑驱动环境，例如由3.3 V或5 V控制器直接驱动的同步整流或负载开关电路。这种低阈值驱动能力增强了系统的兼容性和设计灵活性。
　　该器件的栅极电荷（Qg）仅为13 nC，配合较低的输入电容（Ciss = 920 pF），大幅降低了开关过程中的驱动损耗，使其非常适合高频开关电源应用，如多相降压变换器、VRM（电压调节模块）等。此外，其封装采用PowerPAK SO-8L，具有优异的热导性能，底部暴露焊盘可有效将热量传导至PCB，提升散热效率，从而在高功率密度设计中保持稳定的结温。
　　SIR72802F0A11还具备良好的抗雪崩能力和鲁棒性，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击，提高了系统在异常工况下的可靠性。器件符合JEDEC标准的可靠性测试要求，并具备无铅、无卤素等环保特性，满足现代电子产品对绿色制造的需求。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了在极端环境下的稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场合。

SIR72802F0A11因其高电流能力、低导通电阻和优异的热性能，广泛应用于多种高效率电源系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压变换器，尤其是在多相供电架构中作为下管（synchronous rectifier）使用，能够有效降低导通损耗，提升转换效率。它也常用于服务器、台式机和笔记本电脑的VRM（电压调节模块）设计中，为CPU、GPU等高性能处理器提供稳定的低电压大电流供电。
　　此外，该器件适用于负载开关电路，用于控制电源路径的通断，例如在电池供电系统中实现不同功能模块的上电 sequencing 或电源隔离。由于其快速的开关响应和低静态功耗，SIR72802F0A11也可用于热插拔控制器和OR-ing二极管替代方案，提升系统可用性和冗余能力。
　　在电机驱动、LED驱动电源以及工业电源模块中，SIR72802F0A11同样表现出色，尤其在需要紧凑布局和高效散热的设计中优势明显。其PowerPAK SO-8L封装无需额外散热器即可在合理布局下承载较大电流，适用于空间受限的便携式设备和高密度电源板卡。同时，该器件也适用于汽车电子中的辅助电源系统，如车载信息娱乐系统、ADAS模块的电源管理单元等，满足车规级对可靠性和温度范围的要求。

SiR728DP-T1-GE3
　　IRLHS6280
　　AOZ6321AI