时间：2025/12/29 13:15:36
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FSU10A60是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET器件，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高效率、高频率的开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器以及其他需要高功率密度和低损耗的应用场景。FSU10A60的封装形式通常为TO-220或D2PAK，适用于需要良好散热性能的工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：10A
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.65Ω（Vgs = 10V时）
功耗（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220、D2PAK
FSU10A60具备低导通电阻，这使得在导通状态下功率损耗显著降低，从而提高整体系统的效率。其高耐压能力（600V）使其非常适合用于高电压输入的开关电源系统中。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下稳定工作，增强了其在工业级应用中的可靠性。
该MOSFET还具备快速开关特性，适合用于高频开关应用，从而减小外部电感和变压器的体积，提高系统功率密度。此外，FSU10A60内置了体二极管，可以用于实现反向电流保护和续流功能，在电机控制或逆变器设计中尤为有用。
由于其采用先进的平面工艺制造，FSU10A60具有良好的短路和过载承受能力，有助于提高系统的稳定性和安全性。其栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间正常工作，便于与多种类型的驱动电路匹配。
FSU10A60广泛应用于各种电力电子系统中，例如：开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED驱动器、电池充电器、电机驱动器、UPS不间断电源、逆变器、工业自动化控制系统等。由于其高耐压、中等电流能力和良好的导通性能，FSU10A60特别适合用于中功率级别的高频电源转换系统。
STF10N60DM2、2SK2545、IRF840、FSFR15060TA、FQA10N60
