类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25℃：5A
　　漏极功耗（Pd）：83W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻 Rds(on)：≤2.5Ω（典型值）
　　阈值电压 Vgs(th)：2V~4V
　　输入电容（Ciss）：750pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：未指定（非二极管）

FQU5N65C 以其高性能和可靠性著称，适合多种电源管理应用。首先，其高达 650V 的漏源击穿电压使其适用于中高功率开关应用，如电源供应器、AC-DC 转换器和 LED 照明驱动器。其次，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），通常低于 2.5Ω，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。
　　此外，FQU5N65C 的封装形式为 TO-220，具有良好的散热性能，适用于需要较高功率耗散的应用。该器件的栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容常见的驱动电路，方便集成到现有设计中。同时，其快速的开关特性有助于减少开关损耗，提高动态响应能力。
　　在热稳定性方面，FQU5N65C 能在 -55℃ 至 +150℃ 的工作温度范围内稳定运行，确保在极端环境下的可靠性。该 MOSFET 还具有较强的抗干扰能力，能够在较高频率下运行而不影响性能。由于其优异的电气特性和坚固的结构设计，FQU5N65C 是许多工业和消费类电子产品的理想选择。

FQU5N65C 适用于多种电力电子应用，包括但不限于：开关电源（SMPS）、AC-DC 和 DC-DC 转换器、LED 照明驱动电路、马达控制、逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高耐压和低导通电阻的特性使其成为节能型电源系统的重要组成部分。

FQA5N65C, FQP5N65C, IRF840, FCH07N65S