FDQ6990A 时间：2025/8/24 21:46:22 阅读：5

FDQ6990A是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率、高效率的电源转换应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供较低的导通电阻和优秀的开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等应用。FDQ6990A采用6引脚TSOP（也称为WDFN）封装，具有较小的封装尺寸和良好的热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：6A
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ @ VGS = 4.5V，34mΩ @ VGS = 2.5V
　　功率耗散（PD）：1.8W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：6-TDFN，6-WDFN（TSOP）

特性

FDQ6990A采用了先进的Trench沟槽技术，使其在低电压应用中具备出色的性能。该器件的导通电阻非常低，在VGS为4.5V时仅18mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET在2.5V栅极驱动电压下的RDS(on)也仅为34mΩ，使其适用于低电压控制应用，如电池供电设备和负载开关。FDQ6990A的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频操作下的性能。该器件的封装采用6引脚TSOP（WDFN）设计，尺寸小巧，适用于空间受限的应用，同时具备良好的散热能力。此外，FDQ6990A具有高雪崩能量耐受能力和优秀的热稳定性，能够在苛刻的工作环境下稳定运行。
　　在可靠性方面，FDQ6990A通过了严格的AEC-Q101汽车级认证，适用于汽车电子系统中的功率管理模块。其栅极氧化层设计能够承受高达±20V的栅源电压，避免在高频开关过程中因电压尖峰导致损坏。此外，该MOSFET的封装材料符合RoHS环保标准，适用于环保型电子产品制造。

应用

FDQ6990A广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。常见的应用场景包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源管理模块，以及工业自动化和通信设备中的高效电源模块。由于其具备良好的热性能和低导通电阻，该器件也常用于需要高效率和紧凑设计的LED照明驱动电路。在汽车电子中，FDQ6990A可应用于车载充电系统、车载信息娱乐系统（IVI）、车身控制模块（BCM）等对可靠性和效率有较高要求的场合。