制造商：SK Hynix
　　容量：8Gbit
　　类型：NAND Flash
　　封装类型：TSOP
　　工作电压：1.8V / 3.3V
　　接口类型：ONFI 2.3
　　读取速度：最高50MB/s
　　写入速度：最高20MB/s
　　擦除时间：块擦除时间约2ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H5AN8G4NAFR-TFC NAND闪存芯片具备多项先进的特性，使其在各种存储应用中表现出色。首先，其8Gbit的存储容量为中高密度应用提供了可靠的存储解决方案，适合需要大容量非易失性存储的设备。芯片支持ONFI 2.3接口标准，确保了高速数据传输和兼容性。
　　该器件的工作电压为1.8V和3.3V双电压模式，提供了灵活的电源管理选项，能够适应不同系统的设计需求。低功耗设计使其非常适合用于电池供电设备，如移动电话、便携式媒体播放器和物联网（IoT）设备。
　　H5AN8G4NAFR-TFC具备出色的耐用性和数据保持能力，支持典型的NAND闪存操作，包括页编程（Page Program）、块擦除（Block Erase）和随机数据读取（Random Data Read）。其块擦除时间仅为约2ms，提高了整体存储系统的响应速度。
　　此外，该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）封装，适用于空间受限的设计，同时具备良好的热稳定性和机械可靠性。工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级温度要求，适用于各种严苛环境条件下的应用。

H5AN8G4NAFR-TFC NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。在消费电子方面，它常见于智能手机、平板电脑、数字相机和USB闪存盘等设备中，作为系统存储或用户数据存储介质。在工业领域，该芯片可用于工业控制设备、数据采集系统和嵌入式计算模块，提供稳定可靠的存储能力。
　　由于其高容量和低功耗特性，H5AN8G4NAFR-TFC也适用于物联网（IoT）设备、可穿戴电子产品和智能家居设备等新兴市场。此外，在汽车电子领域，该芯片可用于车载信息娱乐系统（IVI）、行车记录仪和远程信息处理系统，满足车载环境下的存储需求。
　　在固态存储解决方案中，该芯片可用于SSD控制器设计，作为缓存或主存储介质，提升存储设备的性能和可靠性。

H5AN8G4NAMR-TFC, H5AN8G4NAJR-TFC, H5AN8G4NAHR-TFC