时间：2025/7/23 10:29:46
阅读：7
STS3P6F6是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于多种电源管理和功率转换应用。STS3P6F6在封装上采用的是PowerFLAT 5x6封装，具有良好的散热性能，适用于空间受限的高密度设计。该MOSFET的工作电压为60V，最大连续漏极电流为140A，在低栅极驱动电压下仍能保持出色的导通性能。
类型：N沟道MOSFET
工作电压：60V
最大连续漏极电流：140A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为2.2mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：约80nC
封装类型：PowerFLAT 5x6
工作温度范围：-55°C 至 175°C
STS3P6F6采用意法半导体先进的沟槽栅技术，确保了低导通电阻和优异的开关性能。该器件的Rds(on)非常低，仅为2.2mΩ，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET具有较高的电流处理能力，在140A的连续漏极电流下仍能保持稳定运行，适用于高功率密度的设计。
其PowerFLAT 5x6封装具有出色的热管理能力，有助于在高温环境下保持稳定运行，同时减小PCB占用面积，适用于紧凑型电子产品。STS3P6F6还具有较低的栅极电荷（Qg），使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗，提高了整体系统效率。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间工作，使其适用于多种驱动电路设计。同时，该器件的雪崩能量耐受能力较强，提高了在恶劣工况下的可靠性和稳定性。
STS3P6F6广泛应用于各种高功率和高频开关场合，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、电源管理系统、电动汽车充电模块以及太阳能逆变器等。由于其优异的导通和开关性能，STS3P6F6特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
STL3P6F6, STB140N6F6, STB140N6F6AG, STB140N6F6DM, IRFB4110, SiR144DP
